收藏本站
型号 SI7818DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
SI7818DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7818DN-T1-GE3
标准包装 1
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 135 毫欧 @ 3.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1660 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7818DN-T1-GE3CT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
SI7840BDP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7840BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC